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NEO Semiconductor 完成 3D 堆叠内存 X-DRAM 概念验证，可用现有 NAND 产线制造_城市资讯网

夫：他们就是不放弃。他们所拥有的决心，他们对彼此的信任。他们就是有这种在心理上反弹的能力，他们不会对发生的事情耿耿于怀。某一节打得不好不会困扰他们，半场打得不好也不会困扰他们。他们只是继续下一个回合，专注于每一个当下的时刻，努力赢下眼前的比赛。我们球员之间有一种内在的信任，我们的化学反应中没有任何不安全感。我认为这在这些时刻会产生巨大的影响。

存储半导体 IP 企业 NEO Semiconductor 美国加州当地时间 23 日宣布其 X-DRAM 成功完成概念验证芯片制造，证明这一 3D 堆叠内存可利用现有 3D NAND 闪存生产线制造。NEO Semiconductor 的 X-DRAM 验证芯片实现了 10¹⁴ 循环耐久，读写延迟＜10ns，85℃ 下数据保持时间＞1s（注：这一数据是 JEDEC 为标准 DRAM 给出的 64

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